三星正在開發(fā)第七代 V-NAND 閃存,至少達到160層 圖片
三星正在開發(fā)第七代 V-NAND 閃存，至少達到 160 層
2020-04-20 16:46
IT之家4月20日消息 根據(jù)外媒TechPowerUp的報道，三星電子正在開發(fā)其第7代V-NAND閃存，第一款產(chǎn)品將至少達到160層。
外媒表示，三星的160層的V-NAND產(chǎn)品可能會在長江存儲128層產(chǎn)品大量上市時推出，時間大約是2020年底。
IT之家曾報道，4月13日，長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號： X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。長江存儲表示，X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量，擁有1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb高容量。
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