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三星工藝計(jì)劃大曝光：
7nm、第二代10nmLPP和第三代14nm LPC
摩爾定律依然在起作用，2014年底，三星宣布了世界首個(gè)14nm FinFET 3D晶體管進(jìn)入量產(chǎn)，標(biāo)志著半導(dǎo)體晶體管進(jìn)入3D時(shí)代，半年后TSMC也宣布量產(chǎn)了16nm FinFET工藝制程，而驍龍820和Exynos8890則是采用了三星第二代14nm LPP工藝。
進(jìn)入2016年，半導(dǎo)體代工之爭(zhēng)依然激烈，臺(tái)積電最為高調(diào)，大肆造勢(shì)其10nm工藝和7nm甚至5nm的路線圖。而三星這邊卻一直以來(lái)沉默寡言，不過(guò)面對(duì)對(duì)手的高調(diào)宣傳，三星也不再坐視不理了。
近日，三星官網(wǎng)的一篇博客文章向我們披露了關(guān)于三星在2016年以及未來(lái)的代工工藝技術(shù)更新計(jì)劃，大致如下：
在28nm制程方面，三星將繼續(xù)加入新技術(shù)優(yōu)化，2016年推出RF技術(shù)，2017、2018年則加入eNVM技術(shù)。
14nm工藝，三星將推出成本優(yōu)化的14nm LPC工藝，該工藝并沒(méi)有犧牲性能，三星稱(chēng)之為第三代14nm工藝，同時(shí)，14nm FinFET技術(shù)還將擴(kuò)大應(yīng)用到網(wǎng)絡(luò)/服務(wù)器和智能汽車(chē)等領(lǐng)域。
10nm工藝方面是激動(dòng)人心的，三星的第二代10nm工藝，三星稱(chēng)之為10LPP將會(huì)推出，它比第一代10nm LPE還要有10%的速度提升。
7nm方面也在積極布局，三星稱(chēng)在7LPP節(jié)點(diǎn)具有非常有競(jìng)爭(zhēng)力的PPA最優(yōu)化，并有望采用EUV極紫外光刻技術(shù)量產(chǎn)（臺(tái)積電需等到5nm節(jié)點(diǎn)采用EUV）
可以看到，一直以來(lái)默不作聲的三星半導(dǎo)體一直在發(fā)力積極投入研發(fā)次時(shí)代工藝技術(shù)，未來(lái)智能科技的競(jìng)爭(zhēng)本質(zhì)上來(lái)講就是計(jì)算能力的競(jìng)爭(zhēng)，而這不得不催促半導(dǎo)體工藝向著更精密發(fā)展，至少摩爾定律還沒(méi)失效前是這樣的。
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