三星去年剛量產(chǎn)64層堆疊第四代V-NAND，而最新的第五代堆疊層數(shù)增加了一半，減少了晶圓上的物理X、Y尺寸，性能和功率更高，并首次采用Toggle DDR 4.0接口，數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)1.4Gbps，比上代提升40％。
按照三星的設(shè)想，3D堆疊閃存未來能超過200層。
三星還透露，已經(jīng)首發(fā)容量達(dá)1Tb(128GB)容量的3D TLC閃存顆粒，數(shù)據(jù)傳輸率1.2Gbps，并支持32顆堆疊封裝，從而實(shí)現(xiàn)4TB的單顆容量。
三星未來的PM1643系列SSD就將采用這種顆粒，最大容量能做到32TB(只需八顆芯片)，只需4U空間就能實(shí)現(xiàn)以往兩個(gè)機(jī)柜的存儲(chǔ)容量。
這種新硬盤將采用2.5寸規(guī)格、SAS接口，號(hào)稱隨機(jī)讀取性能比上代產(chǎn)品提升2.5倍，面向數(shù)據(jù)中心企業(yè)市場。
東芝/西數(shù)日前宣布的96層堆疊QLC閃存可以做到單個(gè)封裝芯片2.66TB的容量，八顆也能實(shí)現(xiàn)20TB以上的SSD。
此外，三星還將面向消費(fèi)級(jí)市場推出QLC SSD，SATA接口，持續(xù)讀寫性能540MB/s、520MB/s，但具體型號(hào)、規(guī)格、時(shí)間未公布。
理論上，QLC SSD可以輕松做到5TB乃至是10TB的大容量，但首發(fā)肯定不會(huì)這么大，畢竟要考慮消費(fèi)者的承受能力，不過照此趨勢下去，256GB、512GB SSD明年就能遍地走了。
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