9月3日，由開放數(shù)據(jù)中心委員會 (ODCC) 主辦的“2024開放數(shù)據(jù)中心峰會”于今日在北京國際會議中心隆重召開。三星電子副總裁兼閃存應用工程師團隊負責人，沈昊俊在會上發(fā)表了“跨入未來：人工智能時代的存儲創(chuàng)新”的主題演講。他深入淺出的介紹了推動社會進入生成式AI新時代的三大因素，即計算能力的飛躍，大語言模型（LLM）的精進，以及各種AI服務的興起，并進一步探討了生成式AI時代“更優(yōu)AI”的技術趨勢，指出新時代面臨的挑戰(zhàn)不僅僅是存儲器大容量的需求，隨著邁向更精密的AI模型，存儲器的高性能讀寫能力也是當下面臨的巨大挑戰(zhàn)。
演講中，沈昊俊介紹了為解決這些問題三星半導體提出的存儲解決方案和行業(yè)主流應用趨勢。為克服性能和容量的制約，采用并行搭載HBM和DRAM的方式正在逐漸成為行業(yè)趨勢。其中HBM在性能方面扮演重要角色，DRAM則日益突破內(nèi)存容量限制，滿足市場對大容量的需求。
關于目前行業(yè)主流應用的大容量存儲產(chǎn)品，沈昊俊分別介紹了三星半導體目前單芯片容量最大32Gb的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品，不久將可供應128GB/256GB等大容量封裝規(guī)格；以及擁有目前三星最高隨機寫入性能400K IOPS的高性能8通道PCIe Gen5 SSD PM9D3a。
演講中，沈昊俊介紹了為解決這些問題三星半導體提出的存儲解決方案和行業(yè)主流應用趨勢。為克服性能和容量的制約，采用并行搭載HBM和DRAM的方式正在逐漸成為行業(yè)趨勢。其中HBM在性能方面扮演重要角色，DRAM則日益突破內(nèi)存容量限制，滿足市場對大容量的需求。關于目前行業(yè)主流應用的大容量存儲產(chǎn)品，沈昊俊分別介紹了三星半導體目前單芯片容量最大32Gb的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品，不久將可供應128GB/256GB等大容量封裝規(guī)格；以及擁有目前三星最高隨機寫入性能400K IOPS的高性能8通道PCIe Gen5 SSD PM9D3a。
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