三星推128GB RAM內(nèi)存芯片
近期三星宣布將推出一款128GB的RAM內(nèi)存芯片(上圖),目標(biāo)設(shè)備為企業(yè)服務(wù)器,使用了三星的硅通孔(through silicon via)制造技術(shù),可以在更小的封裝面積上集成更多的內(nèi)存。
在這個內(nèi)存芯片中,三星填進(jìn)去了144個芯片,形成了36*4GB DRAM封裝,每個封裝中有4*8Gb芯片,得以獲得128GB內(nèi)存。三星稱這款芯片“具有迄今DRAM模塊中最大的內(nèi)存容量和最高的能效比”,同時它的速度也很快,數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)2400Mbps。



